SOI上分子束外延GaAs的结构与光学性质研究 | |
朱文化 ; 施左宇 ; 杨云洁 ; 林成鲁 | |
1992 | |
会议名称 | 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集 |
会议日期 | 1992 |
中文摘要 | 我们采用离子束沟道背散射技术(RBS)、光荧光(PL)技术研究了新结构GaAs/ SOI的结构和光学性质。SOI(Silicon—on—Insulator)衬底是由高剂量的氧离子注入形成的。研究表明用分子束外延方法可在SOI衬底上获得高质量的GaAs外延薄膜。 |
会议录 | 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
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会议录出版者 | 中国仪器仪表学会仪表材料学会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56544] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱文化,施左宇,杨云洁,等. SOI上分子束外延GaAs的结构与光学性质研究[C]. 见:首届中国功能材料及其应用学术会议论文集. 1992. |
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