SOI上分子束外延GaAs的结构与光学性质研究

	SOI上分子束外延GaAs的结构与光学性质研究
	朱文化 ; 施左宇 ; 杨云洁 ; 林成鲁
	1992
会议名称	首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
会议日期	1992
中文摘要	我们采用离子束沟道背散射技术(RBS)、光荧光(PL)技术研究了新结构GaAs/ SOI的结构和光学性质。SOI(Silicon—on—Insulator)衬底是由高剂量的氧离子注入形成的。研究表明用分子束外延方法可在SOI衬底上获得高质量的GaAs外延薄膜。
会议录	首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
会议录出版者	中国仪器仪表学会仪表材料学会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56544]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	朱文化,施左宇,杨云洁,等. SOI上分子束外延GaAs的结构与光学性质研究[C]. 见:首届中国功能材料及其应用学术会议论文集. 1992.