金刚石多晶薄膜场致发射的初步研究

	金刚石多晶薄膜场致发射的初步研究
	何国鸿 ; 陈抗生 ; 毛敏跃 ; 王渭源
	2005
会议名称	中国电子学会真空电子学分会第十届年会论文集（下册）
会议日期	2005
中文摘要	<正>一、引言最近的研究表明,(111)晶向的金刚石具有负的电子亲合势。这一特性可使得金刚石,尤其是N型金刚石,在极低的电场强度下(小于1伏/微米)就能获得电子发射;而一般逸出功为4.5eV的金属要得到场发射,表面场强至少要求达到1000伏/微米。因此,金刚石有可能成为一种性能很好的冷阴极材料。我们用微波低压气相沉积方法在硅衬底上生长出多晶金刚石薄膜,对其进行了场发射电学性能测量,得到与M.W.Geis等人的实验相近的结果。我们
会议录	中国电子学会真空电子学分会第十届年会论文集（下册）
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56492]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	何国鸿,陈抗生,毛敏跃,等. 金刚石多晶薄膜场致发射的初步研究[C]. 见:中国电子学会真空电子学分会第十届年会论文集（下册）. 2005.