硅的电化学深刻蚀技术

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	硅的电化学深刻蚀技术
	王连卫 ; 吴俊徐 ; 陈瑜
	2005
会议名称	第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
会议日期	2005
关键词	硅衬底电化学深刻蚀传感器深反应离子刻蚀阳极氧化微纳米通道
中文摘要	在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔是在传感器技术的一种重要的加工手段.可以用于制作加速度传感器、陀螺仪、穿过硅片的互联和射频(RF)应用等MEMS(MicroElectroMechanical System:微机电系统)器件和光电子器件.目前通常使用的方法是深反应离子刻蚀技术(DRIE).由于这项技术的成本很高而且所能达到的深宽比有限所以需要开发一种新的技术来与之互补.近来,湿法的电化学深刻蚀技术因为其较低的设备和运行成本而受到业界的重视.并已经成为硅基二维光子晶体制备的主要方法之一.Ohji等人利用电化学深刻蚀
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6250329.aspx
会议录	第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56299]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王连卫,吴俊徐,陈瑜. 硅的电化学深刻蚀技术[C]. 见:第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6250329.aspx.