应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究

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	应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究
	郑中山 ; 刘忠立 ; 张国强 ; 李宁 ; 李国花 ; 张恩霞 ; 张正选 ; 王曦
	2011
会议名称	第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
会议日期	2011
关键词	埋氧层注氮工艺 SIMOX材料离子注入氮注入抗辐射加固 C-V平带电压
中文摘要	研究了埋氧层内注氮对SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)SOI(Silicon-on-Insulator)材料抗辐射性能的影响.实验采用Co-60源对由SIMOXSOI材料制作出的MOS电容进行辐照,并通过辐照前后高频C-V曲线的平带电压漂移,计算了平带时辐射产生的SiO2/Si界面处硅费米能级以上施主陷阱与界面附近氧化物空穴陷阱的密度之和.实验发现,应用离子注入工艺,将一定剂量的氮注入到SIMOX材料的埋氧层内能增强其抗辐射能力.但在注氮剂量一定的情况下,注氮所用的注入能
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6072278.aspx
会议录	第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56239]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	郑中山,刘忠立,张国强,等. 应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究[C]. 见:第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会. 2011.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6072278.aspx.