难熔金属与n-GaAs的欧姆接触

	难熔金属与n-GaAs的欧姆接触
	刘文超 ; 夏冠群 ; 周健 ; 李冰寒
	2002
会议名称	第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议日期	2002
关键词	难熔金属砷化镓欧姆接触半导体器件
中文摘要	本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化后呈现欧姆特性可能和合金化后在接触界面处生成的TiAs相有关.
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101040.aspx
会议录	第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56218]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘文超,夏冠群,周健,等. 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触[C]. 见:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2002.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101040.aspx.