AlGaInP/GaAs HBT工艺研究

	AlGaInP/GaAs HBT工艺研究
	程知群 ; 孙晓玮 ; 钱蓉
	2002
会议名称	第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议日期	2002
关键词	台面腐蚀欧姆接触标记套刻异质结双结型晶体管砷化镓
中文摘要	对AlGaInP/GaAs HBT制备中的基区台面腐蚀、欧姆接触和掩模版标记套刻技术进行了研究,对上述工艺中发现的问题,提出了解决方法,获得了较好的效果.
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101014.aspx
会议录	第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56103]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	程知群,孙晓玮,钱蓉. AlGaInP/GaAs HBT工艺研究[C]. 见:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2002.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101014.aspx.