离子束增强沉积二氧化钒多晶薄膜的成膜机理

	离子束增强沉积二氧化钒多晶薄膜的成膜机理
	李金华 ; 袁宁一
	2003
会议名称	光电子技术与信息/2003.8增刊
会议日期	2003
关键词	二氧化钒薄膜离子束增强沉积成膜机理
中文摘要	设计了一种用离子束增强沉积制备高性能VO<,2>薄膜的新方法.在溅射V<,2>O<,5>粉末靶的同时,用氩、氢混合束,对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500°C以上的退火,获得热电阻温度系数(TCR)高达4﹪的VO<,2>薄膜.成膜机理是,利用高剂量氩离子注入的损伤效应使V<,2>O<,5>的V-O键断裂;利用注入氢的还原效应将V<,2>O<,5>转换成VO<,2>薄膜.利用轰击效应使薄膜致密;利用
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4504620.aspx
会议录	光电子技术与信息/2003.8增刊
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56046]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李金华,袁宁一. 离子束增强沉积二氧化钒多晶薄膜的成膜机理[C]. 见:光电子技术与信息/2003.8增刊. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4504620.aspx.