用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力

	用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力
	毕大炜 ; 张正选 ; 张帅 ; 俞文杰 ; 陈明
	2009
会议名称	第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期	2009
关键词	总剂量辐射效应晶体管注氧隔离绝缘体上硅加固工艺注硅加固材料
中文摘要	本文采用注硅的方法加固SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料，分别用加固和未加固的材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管并进行了10kevX射线总剂量辐照实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOX材料的抗总剂量辐射能力，同时也表明Pseudo-MOS方法能有效的替代实际的MOS晶体管对材料的总剂量辐射效应进行表征.
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226022.aspx
会议录	第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56044]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	毕大炜,张正选,张帅,等. 用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力[C]. 见:第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会. 2009.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226022.aspx.