SOIM新结构与自加热效益

	SOIM新结构与自加热效益
	谢欣云 ; 林青 ; 刘卫丽 ; 林成鲁
	2003
会议名称	第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
会议日期	2003
关键词	SOIM 自加热效益 MEDICI软件 SOIM器件氮氧离子共注入方法
中文摘要	为减少传统SOI器件/电路的自加热效应,本实验利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构.用MEDICI软件对新SOIM器件进行模拟,结果表明这种新结构能有效降低自加热效应,提高了SOI MOSFET的漏电流.
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5202475.aspx
会议录	第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56001]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	谢欣云,林青,刘卫丽,等. SOIM新结构与自加热效益[C]. 见:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5202475.aspx.