用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜

	用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜
	邢玉梅 ; 陶凯 ; 俞跃辉 ; 宋朝瑞 ; 郑志宏
	2003
会议名称	第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
会议日期	2003
关键词	IBED方法 SOI 氧化铪薄膜离子束辅助增强沉积系统 X射线衍射技术电介质绝缘性能
中文摘要	采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O<,2>或N<,2>气氛下迅速退火以及N<,2>气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化铪薄膜结晶性能的影响;同时借助X射线光电子能谱(XPS)研究了靶材及氧化铪薄膜退火前后的成分与化学配比,电子结合状态情况;最后采用扩展电阻测量法分析了氧化铪薄膜的电介质绝缘性能.
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203744.aspx
会议录	第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55996]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	邢玉梅,陶凯,俞跃辉,等. 用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜[C]. 见:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203744.aspx.