原位电子束诱导碲化锑(Sb2Te3)及硅掺杂的晶化

	原位电子束诱导碲化锑(Sb2Te3)及硅掺杂的晶化
	孙明达 ; 韩晓东 ; 张晓娜 ; 张泽 ; 刘波 ; 宋志棠 ; 封松林
	2006
会议名称	电子显微学报
会议日期	2006
关键词	原位电子束碲化锑硅掺杂晶化行为功能材料温差电特性
中文摘要	Sb2Te3是一种基础的功能材料,在掺杂基础上主要应用其温差电特性作为新型能源如太阳能和应用其固态相变特性作为随机存储器的关键材料.其中下一代基于CMOS(complementary metal oxide semiconductor)技术的电脉冲致相变随机存储器需要在GeTe-Sb2Te3体系的背景下寻找更合适的材料.电脉冲和高速运动的电子在材料中有近似的作用,利用透射电子显微镜可以进行原位电子束诱发晶化过程的显微结构变化研究. 对200℃退火处理的薄膜样品做了电子衍射分析,结果显示其由面心立方和六方结
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6341037.aspx
会议录	电子显微学报
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55819]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	孙明达,韩晓东,张晓娜,等. 原位电子束诱导碲化锑(Sb2Te3)及硅掺杂的晶化[C]. 见:电子显微学报. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6341037.aspx.