注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究

	注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究
	张帅 ; 张正选 ; 毕大炜 ; 陈明
	2009
会议名称	第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期	2009
关键词	总剂量效应硅纳米晶体注硅改性加固材料阈值电压
中文摘要	采用Si+注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料，对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。结果表明注Si+减小了辐照时NMOSFET阈值电压的漂移。截面高分辨TEM分析表明注Si+的BOX层中形成了硅纳米晶体团簇，其作为深电子陷阱大幅减小了辐射诱生氧化物陷阱电荷的累积。Si+注入并退火能够提高全耗尽SIMOX材料的抗总剂量效应能力.
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226016.aspx
会议录	第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55566]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张帅,张正选,毕大炜,等. 注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究[C]. 见:第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会. 2009.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226016.aspx.