立方相ZnMgO的电学特性研究

	立方相ZnMgO的电学特性研究
	金国芬 ; 梁军 ; 吴惠桢 ; 劳燕锋 ; 余萍 ; 徐天宁
	2006
会议名称	第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议日期	2006
关键词	ZnMgO合金薄膜立方相宽带隙半导体材料漏电性能电学性能 ZnMgO纳米薄膜 MIS结构
中文摘要	立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1MHz到8MHz频率范围内,介电常数由10.7降到6.4.测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行讨论与分析。
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6372742.aspx
会议录	第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55530]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	金国芬,梁军,吴惠桢,等. 立方相ZnMgO的电学特性研究[C]. 见:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6372742.aspx.