InP基RTD制备与特性分析

	InP基RTD制备与特性分析
	王伟 ; 孙浩 ; 田彤 ; 艾立鹍 ; 谈惠祖 ; 齐鸣 ; 孙晓玮
	2010
会议名称	第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议日期	2010
中文摘要	通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电流密度为26KA/cm2.峰谷电流比1.56,与模拟结果进行了比较与分析,为进一步改善器件性能奠定了基础。
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390510.aspx
会议录	第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55512]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王伟,孙浩,田彤,等. InP基RTD制备与特性分析[C]. 见:第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2010.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390510.aspx.