注硅对SIMOX材料性能影响的研究

	注硅对SIMOX材料性能影响的研究
	贺威 ; 张正选 ; 田浩 ; 杨惠 ; 俞文杰 ; 王茹 ; 陈明 ; 王曦
	2007
会议名称	第六届中国功能材料及其应用学术会议
会议日期	2007
关键词	离子注入绝缘体上硅辐射效应注氧隔离
中文摘要	首先采用注硅的方法改进SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料,对硅注入在SIMOX材料的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述。并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。最后,对利用注硅改进的SIMOX材料制备的MOSFET的辐射特性进行了报道.
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6444348.aspx
会议录	第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55510]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	贺威,张正选,田浩,等. 注硅对SIMOX材料性能影响的研究[C]. 见:第六届中国功能材料及其应用学术会议. 2007.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6444348.aspx.