| 题名 | Si/SOI MMIC无源器件研究 |
| 作者 | 单伟国 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 电子科技大学 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 杨中海 ; 孙晓玮 |
| 关键词 | 微波单片集成电路 CMOS SOI 共面波导 集成电感 |
| 学位专业 | 物理电子学 |
| 中文摘要 | 随着微波通讯技术的迅速发展,人们对通讯设备的要求也越来越高。体积小,重量轻,可靠性高,稳定性好等优点使得微波单片集成电路(MMIC)在微波通讯领域逐渐取代了传统的波导系统和混合集成电路。最近几年,深亚微米CMOS 工艺逐渐成熟,使用CMOS 工艺制备的片上集成电路的性能也不断得到提高。 在无线通讯对CMOS 射频集成电路需求的大背景下,本论文围绕着射频集成电路必不可缺少的、有多种应用的无源器件-共面波导和平面螺旋电感进行大量的研究,发现由于体硅工艺衬底电阻率低、寄生大,使得片上共面波导的损耗过大、集成电感 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82392]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单伟国 . Si/SOI MMIC无源器件研究[D]. 北京. 电子科技大学 . 2005. |
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