| 题名 | 改性碳纳米管及其场发射性能研究 |
| 作者 | 张继华 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | 真空微电子 碳纳米管 化学汽相沉积 场发射 表面改性 平板显示器 场效应晶体管 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | 自从被发现之日起，碳纳米管(CNT)就一直是科学界和工程技术界研究的热点问题，其作为电子发射的冷阴极尤其令人关注。但迄今为止，碳纳米管场发射器件仍未上市，主要是在发射性能上还存在点密度不够高、电子发射不够稳定等问题，在发射机理的理解上也存在许多争论。碳纳米管发射性能的改善是其走向产业化的重要一步。本论文研究的目的就是进一步弄清发射机制，并通过对碳纳米管进行改性处理，提高其场发射性能。论文从碳纳米管生长工艺、场发射性能的改善以及场发射平板显示器制作等三方面进行了较为深入的研究。 建立了一台多功能超高真空系统 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82277]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张继华 . 改性碳纳米管及其场发射性能研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
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