微尺寸超导隧道结的热熔蜡二次加热的固定安装方法
李婧 ; 史生才
2011-01-19
专利国别中国
专利号2.008101247928E11
专利类型发明
权利人中国科学院紫金山天文台
中文摘要微尺寸超导隧道结的热熔蜡二次加热的固定安装方法:(1)将超导SIS芯片放到安装槽中,大致调整好位置;(2)芯片两端各放一点热熔蜡;(3)然后将混频器基座置于热板上,热板温度比蜡的熔点低10~20度;(4)待热熔蜡变软后,取下混频器基座,轻压和移动软化的蜡,使之较好覆盖芯片两端,并与安装槽底部较好的粘贴;(5)然后微调芯片位置,完成定位;(6)重新将混频器基座放回热板,热板温度升温至等同或略高于蜡的熔点,待蜡完全熔化为液态后,取下混频器基座,使之常温冷却;(7)将芯片的两端通过常规点焊实现接地及与中频微带线的连接。本发明安装成功率极大提高;固定更牢;更适合低温工作;不易对器件表面和安装槽造成污染
公开日期2009-01-21
申请日期2008-09-02
语种中文
专利证书号第731231号
专利申请号2.008101247928E11
专利代理栗仲平
内容类型专利
源URL[http://libir.pmo.ac.cn/handle/332002/1391]  
专题紫金山天文台_中科院紫金山天文台专利
推荐引用方式
GB/T 7714
李婧,史生才. 微尺寸超导隧道结的热熔蜡二次加热的固定安装方法. 2.008101247928E11. 2011-01-19.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace