| 掺杂薄膜型λ传感器 | |
| 朱建中 ; 任琮欣 | |
| 1998 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN2293071 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本实用新型涉及一种多元掺杂薄膜金属－氧化物－半导体（ＭＯＳ）型λ传感器。主要由绝缘衬底、叉指形铂膜电极、铂薄膜加热器、铂薄膜温度传感器、掺杂五氧化二铌氧敏薄膜和预防中毒保护层构成。其中，氧敏薄膜采用离子束增强沉积现场多元掺杂制备。薄膜上外加的防中毒保护层可使器件可靠工作。因此，是一种灵敏度高，响应时间短，温度系数小，可批量生产一致性和互换性好的，广泛应用于汽车、能源和环保领域的低成本λ传感器。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 1998-09-30 |
| 申请日期 | 1997-03-10 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 97206703.5 |
| 专利代理 | 沈德新 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52878]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱建中,任琮欣. 掺杂薄膜型λ传感器. CN2293071. 1998-01-01. |
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