| 反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺 | |
| 任琮欣 ; 江炳尧 ; 王效东 ; 杨艺榕 | |
| 1999 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1224077 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺。金刚石薄膜由热丝法生长在硅片上，刻蚀图形在具有卡夫曼型离子源的离子束刻蚀机上，采用纯氧反应离子束，以铝膜为掩模进行。铝掩模可由光刻、腐蚀或氩离子束刻蚀形成。氧分压下，金刚石和铝的刻蚀速率差别很大，金刚石对铝的刻蚀选择比可达到４０。刻蚀后残留的铝由腐蚀去除，是一种工艺简单，重复性好，刻蚀线条清晰、陡直，可与微电子工艺兼容的金刚石图形化技术。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 1999-07-28 |
| 申请日期 | 1998-12-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 98122855.0 |
| 专利代理 | 沈德新 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52684]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_冶金所专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任琮欣,江炳尧,王效东,等. 反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺. CN1224077. 1999-01-01. |
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