半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究
黎华 ; 韩英军 ; 谭智勇 ; 张戎 ; 曹俊诚
刊名物理学报
2010
期号03
关键词虚拟多天线 正交频分复用 多频偏 信道冲激响应 最大似然准则 Cramer-Rao下界
ISSN号1000-3290
中文摘要采用气态源分子束外延设备生长了GaAs/AlGaAs束缚态到连续态跃迁结构的太赫兹(THz)量子级联激光器(QCL)有源区结构,研究了半绝缘等离子体波导THzQCL的器件工艺,采用远红外傅里叶变换光谱仪以及探测器测量了器件的电光特性.器件激射频率为3·2THz,10K下的阈值电流密度为275A/cm2.
语种中文
公开日期2012-01-06
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52473]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
黎华,韩英军,谭智勇,等. 半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究[J]. 物理学报,2010(03).
APA 黎华,韩英军,谭智勇,张戎,&曹俊诚.(2010).半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究.物理学报(03).
MLA 黎华,et al."半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究".物理学报 .03(2010).
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