相变存储器中选通二极管的模型与优化

	相变存储器中选通二极管的模型与优化
	李宜瑾 ; 凌云 ; 宋志棠 ; 贾晓玲 ; 罗胜钦
刊名	功能材料与器件学报
	2010
期号	06
关键词	无线传感网本地最小化地理路由协议空洞扩大
ISSN号	1007-4252
中文摘要	设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V。文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52325]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李宜瑾,凌云,宋志棠,等. 相变存储器中选通二极管的模型与优化[J]. 功能材料与器件学报,2010(06).
APA	李宜瑾,凌云,宋志棠,贾晓玲,&罗胜钦.(2010).相变存储器中选通二极管的模型与优化.功能材料与器件学报(06).
MLA	李宜瑾,et al."相变存储器中选通二极管的模型与优化".功能材料与器件学报 .06(2010).