一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)

	一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)
	金智 ; 程伟 ; 刘新宇 ; 徐安怀 ; 齐鸣
刊名	红外与毫米波学报
	2009
期号	02
关键词	辣根过氧化物酶免疫酶技术分光光度法
ISSN号	1001-9014
中文摘要	针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用.
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52163]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	金智,程伟,刘新宇,等. 一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)[J]. 红外与毫米波学报,2009(02).
APA	金智,程伟,刘新宇,徐安怀,&齐鸣.(2009).一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文).红外与毫米波学报(02).
MLA	金智,et al."一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)".红外与毫米波学报 .02(2009).