集成高梯度磁场分离结构的微流控芯片快速制作法

CORC > 上海微系统与信息技术研究所 > 中文期刊、会议、专利、成果 > 期刊论文

	集成高梯度磁场分离结构的微流控芯片快速制作法
	王聿佶 ; 陈翔 ; 潘欣欣 ; 金庆辉 ; 赵建龙
刊名	功能材料与器件学报
	2008
期号	04
关键词	虚拟MIMO STBC V-BLAST 每比特信噪比
ISSN号	1007-4252
中文摘要	随着MEMS技术和免疫磁珠技术的不断发展,平面电磁线圈作为控制纳米磁珠在微流体中运动的关键部件,受到广泛关注和研究。但其复杂的加工工艺,较低的磁珠捕获效率以及电磁线圈的热效应,限制了它在微流控芯片中的进一步发展和应用。本文介绍了一种高梯度磁场分离微流控芯片,通过在芯片内部集成顺磁性的微柱结构,形成高磁场来捕获磁珠。采用基于SU-8多层模具和PDMS铸模工艺的快速加工方法,在芯片内部制作出顺磁性的微柱阵列。在外磁场磁化作用下,这些微柱能产生磁珠捕获所需的高梯度磁场,有效的进行磁珠操控和分离,通过蛋白捕获实验
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51887]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王聿佶,陈翔,潘欣欣,等. 集成高梯度磁场分离结构的微流控芯片快速制作法[J]. 功能材料与器件学报,2008(04).
APA	王聿佶,陈翔,潘欣欣,金庆辉,&赵建龙.(2008).集成高梯度磁场分离结构的微流控芯片快速制作法.功能材料与器件学报(04).
MLA	王聿佶,et al."集成高梯度磁场分离结构的微流控芯片快速制作法".功能材料与器件学报 .04(2008).