基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究

	基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究
	陆荣 ; 陆松涛 ; 杨恒
刊名	传感器与微系统
	2008
期号	12
关键词	粒子滤波器仅有角测量目标跟踪无线传感网络
ISSN号	1000-9787
中文摘要	提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。在(111)型硅片上利用原电池钝化效应一次性腐蚀出与衬底绝缘,由约4μm厚的金电极支撑,厚度约为235 nm的亚微米梁结构,具有制作简单、成品率高、成本低等特点,应用前景广阔。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51885]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陆荣,陆松涛,杨恒. 基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究[J]. 传感器与微系统,2008(12).
APA	陆荣,陆松涛,&杨恒.(2008).基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究.传感器与微系统(12).
MLA	陆荣,et al."基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究".传感器与微系统 .12(2008).