大位移低电压的静电MEMS驱动器(英文)

	大位移低电压的静电MEMS驱动器(英文)
	明安杰 ; 李铁 ; 周萍 ; 王跃林
刊名	半导体学报
	2008
期号	09
关键词	免疫反应酶免疫标记荧光免疫标记胶体金免疫标记纳米技术
ISSN号	0253-4177
中文摘要	制作了一种低驱动电压、位移达100μm的梳齿驱动器.为了增加驱动器的驱动位移,对驱动器的侧向稳定性进行了分析.根据分析结论,提出了一种采用小梳齿间隙,高纵/横向弹性常数比预弯曲支撑梁,无初始交叠、梳齿长度线性递增的梳齿驱动器.根据稳定性以及驱动位移和驱动电压的设计要求设计了驱动器的具体参数,并进行了器件制作.测试表明,器件共振点在573Hz,Q因子为35.88,在100μm位移时驱动电压为71V,与理论计算值相差2.1%.
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51831]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	明安杰,李铁,周萍,等. 大位移低电压的静电MEMS驱动器(英文)[J]. 半导体学报,2008(09).
APA	明安杰,李铁,周萍,&王跃林.(2008).大位移低电压的静电MEMS驱动器(英文).半导体学报(09).
MLA	明安杰,et al."大位移低电压的静电MEMS驱动器(英文)".半导体学报 .09(2008).