GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计

	GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计
	刘盛 ; 张永刚
刊名	功能材料与器件学报
	2008
期号	03
关键词	电容式传感器 MEMS 信号调理检测电路
ISSN号	1007-4252
中文摘要	采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2~3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51803]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘盛,张永刚. GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计[J]. 功能材料与器件学报,2008(03).
APA	刘盛,&张永刚.(2008).GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计.功能材料与器件学报(03).
MLA	刘盛,et al."GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计".功能材料与器件学报 .03(2008).