利用压印技术制备大面积相变材料阵列

	利用压印技术制备大面积相变材料阵列
	刘彦伯 ; 钮晓鸣 ; 宋志棠 ; 闵国全 ; 万永中 ; 张静 ; 周伟民 ; 李小丽 ; 张挺 ; 张剑平
刊名	微细加工技术
	2008
期号	05
关键词	太赫兹波太赫兹量子阱探测器光伏探测热分辨率
ISSN号	1003-8213
中文摘要	采用高效、低成本的紫外压印技术(UV-IL)在2 in.Si/Si O2基Ti/Ti N/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8 M/In2的AMONIL点阵结构,并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列;电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET/RESET电阻值变化约30倍,I-V特性表明,阈值电压为1.18 V。此外,时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明,SST材料的相变发生在200℃~300℃之间。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51763]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘彦伯,钮晓鸣,宋志棠,等. 利用压印技术制备大面积相变材料阵列[J]. 微细加工技术,2008(05).
APA	刘彦伯.,钮晓鸣.,宋志棠.,闵国全.,万永中.,...&张剑平.(2008).利用压印技术制备大面积相变材料阵列.微细加工技术(05).
MLA	刘彦伯,et al."利用压印技术制备大面积相变材料阵列".微细加工技术 .05(2008).