低能Ar离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜

	低能Ar离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜
	江炳尧 ; 冯涛 ; 任琮欣 ; 柳襄怀
刊名	核技术
	2008
期号	01
关键词	TiCr基储氢合金 XRD 可逆储氢量 TG-DSC
ISSN号	0253-3219
中文摘要	采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向。当辅助轰击的Ar离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)择优取向。采用Monte Carlo方法模拟能量为500eV的Ar离子入射单晶Ag所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar离子入射单晶Ag(100)面、(111)面时,A
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51748]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	江炳尧,冯涛,任琮欣,等. 低能Ar离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜[J]. 核技术,2008(01).
APA	江炳尧,冯涛,任琮欣,&柳襄怀.(2008).低能Ar离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜.核技术(01).
MLA	江炳尧,et al."低能Ar离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜".核技术 .01(2008).