纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究

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	纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究
	孙萍 ; 徐岭 ; 赵伟明 ; 李卫 ; 徐骏 ; 马忠元 ; 吴良才 ; 黄信凡 ; 陈坤基
刊名	物理学报
	2008
期号	03
关键词	双异质结双极晶体管气态源分子束外延磷化铟阶梯缓变集电区
ISSN号	1000-3290
中文摘要	采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行了分析.结果表明:制备的二维CdS纳米阵列是高度有序的,且与作为掩模的纳米小球的原始尺寸及排布结构一致;禁带宽度为2.60eV,相对于体材料的2.42eV,向短波长蓝移了0.18eV,表现出CdS材料在纳米结构点阵中的量子尺寸效应;CdS纳米
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51653]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	孙萍,徐岭,赵伟明,等. 纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究[J]. 物理学报,2008(03).
APA	孙萍.,徐岭.,赵伟明.,李卫.,徐骏.,...&陈坤基.(2008).纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究.物理学报(03).
MLA	孙萍,et al."纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究".物理学报 .03(2008).