薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术

	薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术
	魏星 ; 王湘 ; 陈猛 ; 陈静 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁
刊名	半导体学报
	2008
期号	07
关键词	微机电系统准LIGA 微电铸
ISSN号	0253-4177
中文摘要	在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术.
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51639]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	魏星,王湘,陈猛,等. 薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术[J]. 半导体学报,2008(07).
APA	魏星.,王湘.,陈猛.,陈静.,张苗.,...&林成鲁.(2008).薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术.半导体学报(07).
MLA	魏星,et al."薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术".半导体学报 .07(2008).