带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质

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	带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质
	甘新慧 ; 廖远宝 ; 刘东 ; 戴明 ; 徐岭 ; 吴良才 ; 马忠元 ; 徐骏
刊名	发光学报
	2008
期号	06
关键词	多孔硅 MEMS技术微型质子交换膜燃料电池
ISSN号	1000-7032
中文摘要	CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响。紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明,在样品的制备过程中,通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小,随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小,带隙增加;镉离
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51547]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	甘新慧,廖远宝,刘东,等. 带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质[J]. 发光学报,2008(06).
APA	甘新慧.,廖远宝.,刘东.,戴明.,徐岭.,...&徐骏.(2008).带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质.发光学报(06).
MLA	甘新慧,et al."带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质".发光学报 .06(2008).