负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性
董丽娟 ; 江海涛 ; 杨成全 ; 石云龙
刊名物理学报
2007
期号08
关键词高端硅基材料 绝缘体上硅(SOI) 绝缘体上应变硅(sSOI) 绝缘体上锗(GOI)
ISSN号1000-3290
中文摘要利用麦克斯韦方程组研究了负介电常数材料和负磁导率材料组成的双层结构的透射特性.电磁波在跨越负介电常数材料层和负磁导率材料层的界面时,由边界条件导致了电磁场的大部分能量局域在界面上,形成特殊的界面模式.研究结果表明,当入射角满足某个特定条件时,这些界面模可以演变为共振隧穿模,导致共振透射的发生.这种输运特性可以实现带通滤波.
语种中文
公开日期2012-01-06
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51433]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
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GB/T 7714
董丽娟,江海涛,杨成全,等. 负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性[J]. 物理学报,2007(08).
APA 董丽娟,江海涛,杨成全,&石云龙.(2007).负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性.物理学报(08).
MLA 董丽娟,et al."负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性".物理学报 .08(2007).
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