离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

	离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用
	刘成 ; 曹春芳 ; 劳燕锋 ; 曹萌 ; 谢正生 ; 吴惠桢
刊名	功能材料
	2007
期号	08
关键词	线粒体疾病线粒体DNA 突变诊断
ISSN号	1001-9731
中文摘要	研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响。当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍。接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51412]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘成,曹春芳,劳燕锋,等. 离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用[J]. 功能材料,2007(08).
APA	刘成,曹春芳,劳燕锋,曹萌,谢正生,&吴惠桢.(2007).离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用.功能材料(08).
MLA	刘成,et al."离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用".功能材料 .08(2007).