两步法电化学制备CuInSe_2太阳能电池吸收层材料

	两步法电化学制备CuInSe_2太阳能电池吸收层材料
	张晓科 ; 王可 ; 解晶莹
刊名	功能材料与器件学报
	2007
期号	03
关键词	微流控芯片湿法刻蚀紫外胶键合微加工技术
ISSN号	1007-4252
中文摘要	采用先沉积In2Se3薄膜,再沉积CuInSe2的两步法电化学制备薄膜太阳能电池CuInSe2吸收层材料。通过XRD、SEM、EDX等分析手段检测了材料形貌、结构以及组分等,结果表明薄膜组分比为CuIn1.7Se2.2,其中In和Se的含量相对化学计量比有所增加。循环伏安法研究表明CuInSe的沉积属于诱导共沉积范畴。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51411]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张晓科,王可,解晶莹. 两步法电化学制备CuInSe_2太阳能电池吸收层材料[J]. 功能材料与器件学报,2007(03).
APA	张晓科,王可,&解晶莹.(2007).两步法电化学制备CuInSe_2太阳能电池吸收层材料.功能材料与器件学报(03).
MLA	张晓科,et al."两步法电化学制备CuInSe_2太阳能电池吸收层材料".功能材料与器件学报 .03(2007).