一种高精度CMOS带隙基准电压源设计

	一种高精度CMOS带隙基准电压源设计
	沈菊 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 ; 朱加兵
刊名	半导体技术
	2007
期号	09
关键词	光电导开关 ensemble-MonteCarlo方法工作模式负阻效应
ISSN号	1003-353X
中文摘要	介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18μm CMOS工艺。Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB。该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51400]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	沈菊,宋志棠,刘波,等. 一种高精度CMOS带隙基准电压源设计[J]. 半导体技术,2007(09).
APA	沈菊,宋志棠,刘波,封松林,&朱加兵.(2007).一种高精度CMOS带隙基准电压源设计.半导体技术(09).
MLA	沈菊,et al."一种高精度CMOS带隙基准电压源设计".半导体技术 .09(2007).