GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

	GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征
	谢正生 ; 吴惠桢 ; 劳燕锋 ; 刘成 ; 曹萌
刊名	稀有金属材料与工程
	2007
期号	04
关键词	算术编码上下文模型数据隐藏改进的LSB
ISSN号	1002-185X
中文摘要	采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3μm垂直腔面发射激光器(
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51394]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	谢正生,吴惠桢,劳燕锋,等. GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征[J]. 稀有金属材料与工程,2007(04).
APA	谢正生,吴惠桢,劳燕锋,刘成,&曹萌.(2007).GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征.稀有金属材料与工程(04).
MLA	谢正生,et al."GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征".稀有金属材料与工程 .04(2007).