低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

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	低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用
	谢正生 ; 吴惠桢 ; 劳燕锋 ; 刘成 ; 曹萌
刊名	金属学报
	2007
期号	03
关键词	信息光学光信息安全双随机相位加密选择明文攻击
ISSN号	0412-1961
中文摘要	研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中．利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率．实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求．对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的．这种低温金属键合技术,有望
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51318]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	谢正生,吴惠桢,劳燕锋,等. 低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用[J]. 金属学报,2007(03).
APA	谢正生,吴惠桢,劳燕锋,刘成,&曹萌.(2007).低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用.金属学报(03).
MLA	谢正生,et al."低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用".金属学报 .03(2007).