162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)

	162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)
	于进勇 ; 严北平 ; 苏树兵 ; 刘训春 ; 王润梅 ; 徐安怀 ; 齐鸣 ; 刘新宇
刊名	半导体学报
	2006
期号	10
关键词	半导体技术化学镀Ni-P 纯锡凸点高温回流 Ni_3Sn_4金属间化合物
ISSN号	0253-4177
中文摘要	报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大直流增益为120,偏移电压为0·10V,击穿电压BVCEO达到3·8V(IC=0·1μA) .这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51099]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	于进勇,严北平,苏树兵,等. 162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)[J]. 半导体学报,2006(10).
APA	于进勇.,严北平.,苏树兵.,刘训春.,王润梅.,...&刘新宇.(2006).162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文).半导体学报(10).
MLA	于进勇,et al."162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)".半导体学报 .10(2006).