紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器

	紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器
	王闯 ; 钱蓉 ; 孙晓玮
刊名	半导体学报
	2006
期号	06
关键词	异质结双极晶体管(HBT) InGaP/GaAs 阻挡层离子注入
ISSN号	0253-4177
中文摘要	给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21～28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益为7dB左右,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于2.芯片尺寸为1mm×1.2mm×0.1mm.同时,给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性.
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51048]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王闯,钱蓉,孙晓玮. 紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器[J]. 半导体学报,2006(06).
APA	王闯,钱蓉,&孙晓玮.(2006).紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器.半导体学报(06).
MLA	王闯,et al."紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器".半导体学报 .06(2006).