新型PSOI LDMOSFET的结构优化

	新型PSOI LDMOSFET的结构优化
	程新红 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 ; 姜丽娟 ; 许仲德
刊名	半导体技术
	2006
期号	06
关键词	微流控芯片温控同工酶活性检测
ISSN号	1003-353X
中文摘要	针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOILDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8～3×1012cm-2。对结构优化的PSOILDMOSFET进行了开态输出特性模拟,输出特性曲线没有曲翘现象和负导现象,开态击穿电压可达到16V,器件有源区的温度降低了50℃。结构优化有利于提高器件性能和降低器件的开发成本。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51045]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	程新红,宋朝瑞,俞跃辉,等. 新型PSOI LDMOSFET的结构优化[J]. 半导体技术,2006(06).
APA	程新红,宋朝瑞,俞跃辉,姜丽娟,&许仲德.(2006).新型PSOI LDMOSFET的结构优化.半导体技术(06).
MLA	程新红,et al."新型PSOI LDMOSFET的结构优化".半导体技术 .06(2006).