高增益K波段MMIC低噪声放大器

	高增益K波段MMIC低噪声放大器
	王闯 ; 钱蓉 ; 孙晓玮
刊名	半导体学报
	2006
期号	07
关键词	氮化镓纳米孔阳极氧化铝 ICP刻蚀 Raman
ISSN号	0253-4177
中文摘要	基于0.25μm PHEMT工艺,给出了两个高增益K波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器1dB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50942]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王闯,钱蓉,孙晓玮. 高增益K波段MMIC低噪声放大器[J]. 半导体学报,2006(07).
APA	王闯,钱蓉,&孙晓玮.(2006).高增益K波段MMIC低噪声放大器.半导体学报(07).
MLA	王闯,et al."高增益K波段MMIC低噪声放大器".半导体学报 .07(2006).