碳纳米管场发射机理述评

	碳纳米管场发射机理述评
	张继华 ; 杨传仁 ; 王曦
刊名	材料导报
	2006
期号	02
关键词	绝缘体上硅(SOI) 总剂量辐照效应环栅结构 H型栅结构
ISSN号	1005-023X
中文摘要	较全面地介绍了碳纳米管场发射研究10年来在发射机理方面的研究结果,包括场发射能量分布、逸出功、发射模型以及发射稳定性和失效等问题,并介绍了相关方面的研究结果。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50939]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张继华,杨传仁,王曦. 碳纳米管场发射机理述评[J]. 材料导报,2006(02).
APA	张继华,杨传仁,&王曦.(2006).碳纳米管场发射机理述评.材料导报(02).
MLA	张继华,et al."碳纳米管场发射机理述评".材料导报 .02(2006).