部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究

	部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究
	贺威 ; 张恩霞 ; 钱聪 ; 张正选
刊名	功能材料与器件学报
	2006
期号	04
关键词	蓝牙 Adhoc网微微网轮询时延吞吐量
ISSN号	1007-4252
中文摘要	采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Coγ射线总剂量辐照试验。结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50843]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	贺威,张恩霞,钱聪,等. 部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究[J]. 功能材料与器件学报,2006(04).
APA	贺威,张恩霞,钱聪,&张正选.(2006).部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究.功能材料与器件学报(04).
MLA	贺威,et al."部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究".功能材料与器件学报 .04(2006).