气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)

	气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)
	郝国强 ; 张永刚 ; 顾溢 ; 李爱珍 ; 朱诚
刊名	红外与毫米波学报
	2006
期号	04
关键词	磷化铟异质结双极型晶体管自对准
ISSN号	1001-9014
中文摘要	从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50841]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	郝国强,张永刚,顾溢,等. 气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)[J]. 红外与毫米波学报,2006(04).
APA	郝国强,张永刚,顾溢,李爱珍,&朱诚.(2006).气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文).红外与毫米波学报(04).
MLA	郝国强,et al."气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)".红外与毫米波学报 .04(2006).