SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)

	SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)
	郑中山 ; 刘忠立 ; 张国强 ; 李宁 ; 李国花 ; 马红芝 ; 张恩霞 ; 张正选 ; 王曦
刊名	半导体学报
	2005
期号	05
ISSN号	0253-4177
中文摘要	为了提高SIMOX(separation -by -implanted oxygen)SOI(silicon -on -insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入了2×1015cm-2和3×1015 cm-2 剂量的氮.实验结果表明, 在使用Co 60 源对埋氧层进行较低总剂量的辐照时,埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量是非常敏感的.尽管埋氧层中注氮剂量的差别很小,但经5×104rad(Si)剂量的辐照后,注入2×1015 cm-2 剂量氮的埋氧层表现出了比未注氮埋氧层高得
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50762]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	郑中山,刘忠立,张国强,等. SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)[J]. 半导体学报,2005(05).
APA	郑中山.,刘忠立.,张国强.,李宁.,李国花.,...&王曦.(2005).SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文).半导体学报(05).
MLA	郑中山,et al."SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)".半导体学报 .05(2005).