SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文) | |
郑中山 ; 刘忠立 ; 张国强 ; 李宁 ; 李国花 ; 马红芝 ; 张恩霞 ; 张正选 ; 王曦 | |
刊名 | 半导体学报
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2005 | |
期号 | 05 |
ISSN号 | 0253-4177 |
中文摘要 | 为了提高SIMOX(separation -by -implanted oxygen)SOI(silicon -on -insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入了2×1015cm-2和3×1015 cm-2 剂量的氮.实验结果表明, 在使用Co 60 源对埋氧层进行较低总剂量的辐照时,埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量是非常敏感的.尽管埋氧层中注氮剂量的差别很小,但经5×104rad(Si)剂量的辐照后,注入2×1015 cm-2 剂量氮的埋氧层表现出了比未注氮埋氧层高得 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50762] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑中山,刘忠立,张国强,等. SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)[J]. 半导体学报,2005(05). |
APA | 郑中山.,刘忠立.,张国强.,李宁.,李国花.,...&王曦.(2005).SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文).半导体学报(05). |
MLA | 郑中山,et al."SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)".半导体学报 .05(2005). |
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