In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析

	In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析
	郝国强 ; 张永刚 ; 顾溢 ; 刘天东 ; 李爱珍
刊名	功能材料与器件学报
	2005
期号	02
关键词	图形化SOI技术 LDMOS 射频功率器件增益
ISSN号	1007-4252
中文摘要	从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈现出相应的温度特性。还从理论与实验两方面探讨了噪声对探测器R0A的影响,结果表明:在低温段,产生-复合噪声起主要作用,在高温段,俄歇复合噪声起主要作用。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50664]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	郝国强,张永刚,顾溢,等. In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析[J]. 功能材料与器件学报,2005(02).
APA	郝国强,张永刚,顾溢,刘天东,&李爱珍.(2005).In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析.功能材料与器件学报(02).
MLA	郝国强,et al."In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析".功能材料与器件学报 .02(2005).