GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究

	GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究
	刘延祥 ; 夏冠群 ; 唐绍裘 ; 李志怀 ; 程宗权
刊名	功能材料与器件学报
	2005
期号	03
关键词	带通滤波器光子带隙结构谐振式滤波器
ISSN号	1007-4252
中文摘要	简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了A l2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀A l2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50583]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘延祥,夏冠群,唐绍裘,等. GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究[J]. 功能材料与器件学报,2005(03).
APA	刘延祥,夏冠群,唐绍裘,李志怀,&程宗权.(2005).GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究.功能材料与器件学报(03).
MLA	刘延祥,et al."GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究".功能材料与器件学报 .03(2005).