部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应

	部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应
	李宁 ; 张国强 ; 刘忠立 ; 范楷 ; 郑中山 ; 林青 ; 张正选 ; 林成鲁
刊名	半导体学报
	2005
期号	02
关键词	体硅键合技术薄膜密封技术微电子机械系统封装技术
ISSN号	0253-4177
中文摘要	采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟 (F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力 ,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids Vgs特性和阈值电压 ,发现F具有抑制辐射感生 pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力 ,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流 .说明在SOI材料中前后Si/SiO2 界面处的F可以减少空穴陷阱密度 ,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力 .
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50505]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李宁,张国强,刘忠立,等. 部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J]. 半导体学报,2005(02).
APA	李宁.,张国强.,刘忠立.,范楷.,郑中山.,...&林成鲁.(2005).部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应.半导体学报(02).
MLA	李宁,et al."部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应".半导体学报 .02(2005).