用于超高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研制

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	用于超高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研制
	杨尊先 ; 于映 ; 李昕欣
刊名	真空科学与技术学报
	2005
期号	06
关键词	InGaAs/InP HBT δ掺杂层阻挡层 N~+高掺杂的复合集电极 I-V输出特性
ISSN号	1672-7126
中文摘要	本文研制一种用于超高密度数据存储的硅基纳机电探针阵列器件。简要介绍了器件结构及其工作原理,并通过理论计算和有限元模拟相结合的方法实现器件的结构设计。并运用先进的微纳加工工艺技术制造出相应的器件,具体包括:先进的纳米硅尖制造技术、高电隔离性的加热电阻制作技术及其纳机电探针上加热电阻与压阻传感器集成技术等。室温下,测得该器件加热电阻器的阻值为(500~600)Ω,压阻传感器的阻值为(6~8)KΩ,在2×10-7N预力作用于针尖处时,悬臂梁上的压阻器件灵敏度(电阻相对变化)达到了3.12×10-4,满足纳米数据
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50468]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杨尊先,于映,李昕欣. 用于超高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研制[J]. 真空科学与技术学报,2005(06).
APA	杨尊先,于映,&李昕欣.(2005).用于超高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研制.真空科学与技术学报(06).
MLA	杨尊先,et al."用于超高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研制".真空科学与技术学报 .06(2005).